Micron a Sun zvyšují "výdrž" flash pamětí
Společnosti Micron Tenchnology a Sun Microsystems spojily své síly a společně vyvinuli technologii, prodlužující životnost paměťové NAND buňky. Ta by teď měla být až desetinásobná.
Životní cyklus NAND paměťové buňky je velmi omezen, na 100000 zápisů v případě dražších single-level cell (SLC NAND) a na 10000 zápisů v případě levnějších multi-level cell (MLC NAND). Za použití nového způsobu výroby by měla být výdrž SLC buňek desetinásobná, tedy milion zápisů, o navýšení výdrže MLC pamětí zpráva nehovoří, ale desetinásobný vzrůst je také pravděpodobný.
"Jsme velmi šťastní, že jsme mohli na tomto projektu pracovat s firmou Sun, náš úspěch umožní užití flash čipů v systémech, kde to dříve nebylo možné kvůli jejich omezenému počtu zápisů a vymazání buňky," řekl Brian Shirley, vicepresident Micronu. "Předpokládáme, že tato technologie opravdu změní způsoby a užití úložného prostoru ve firmách a bude přijata širokou škálou produktů náročných na výměnu dat, počínaje SSD disky a vyrovnávací pamětí konče."
Nová technologie výše zmíněných společností by měla zvýšit životnost takovýchto pamětí, což následně umožní jejich nasazení v serverových discích, nebo firemních úložištéch dat. Majitelé takovýchto systémů budou moci klidněji spát, bez strachu o své informace. Micron v součastnosti dodává vzorky svých nových NAND čipů, jejich přenosová rychlost by měla dosahovat až 32Gb/s. Masová výroba má začít příštím rokem a později budou k vidění jak SLC, tak MLC disky s buňkami vyráběnými 34nm procesem.
Podle X-Bit Labs
