[IDF 2013] Odhaleny specifikace Gigabyte G1.Assassin 3
Gigabyte představil v rámci své propagace na IDF 2013 první verzi své připravované high-end základní desky G1.Assassin 3.
Deska je vybavena LGA2011 socketem a je založena na čipové sadě Intel X79 Express. Stejně jako její předchůdce, je deska formátu ATX. Napájení desky je zajištěno kombinací 24 pinového ATX a 8 pinového EPS konektorů. G1.Assassin 3 používá k napájení CPU patice 9-fázové VRM, které je zlaožena na PowlRstage řízených MOSFET, vyráběných společností International Rectifie. Základní deska dále disponuje osmi DIMM DDR3 sloty s podporou připojení až 64 GB RAM pamětí. Dále se můžeme těšit na čtyři PCI-Express 3.0 x16 sloty a dva PCI-Express 2.0 x1 sloty.
K připojení disků je G1.Assassin 3 deska vybavena čtyřmi SATA 6 Gb/s porty a stejným počtem SATA 3 GB/s konektorů. K připojení k síti poslouží dva gigabit ethernet rozhraní, z nichž jeden je založen na řadiči Intel. Další bezdrátovou konektivitu zajistí vestavěná WLAN 802.11ac a Bluetooth 4.0 technologie. Deska je dále vybavena Creative Sound Core3D zvukovým čipem a integrovaným zesilovačem. Na nové desce bude dále k dispozici šest USB 3.0 portů a šest USB 2.0/1.1 rozhraní. Gigabyte prozatím nedokončil design chladičů pro VRM a PCH.
Výrobce zatím nezveřejnil datum vydání ani cenu připravované Gigabyte G1.Assassin 3.