První 50nm DRAM čip od Samsungu

Samsung představil prototyp paměťového čipu typu DDR2 SDRAM s kapacitou 1Gbit, který je vyráběn novou 50nm výrobní technologií.

Reklama

50nm výrobní postup, který Samsung představil, opravdu stojí za pozornost. Podle Samsungu má o celých 55% lepší výtěžnost v porovnání s 60nm procesem. Jak toho bylo docíleno?

Samsung zde poprvé použil technologii zvanou 'SEG Tr' neboli 'selective epitaxial growth transistor'. Tento typ trojrozměrného (3D) tranzistoru používá vícevrstvé dielektrikum ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ (oxid zirkoničitý/oxid hlinitý) a umožňuje větší průtok elektronů, lidově řečeno menší odpor a nižší spotřebu. Kromě toho prý umožňuje dosáhnout vyššího výkonu.

Další šikovnou technologií je RCAT (recess channel array transistor), kterou už Samsung nějakou dobu používá. RCAT zdvojnásobuje dobu mezi obnovovacími (refresh) cykly.

Do zahájení výroby ve velkém je ale stále relativně daleko - podle DigiTimes začnou továrny chrlit 50nm DRAM čipy až v roce 2008.

Zdroj: DigiTimes

Reklama