Samsung vyvinul paměťové čipy LPDDR5 DRAM pro síť 5G a AI mobilní aplikace
Společnost Samsung dosáhla významného milníku. Jako první se jí podařilo vyvinout paměťové čipy LPDDR5 DRAM, které budou rychlejší a díky novému módu „deep sleep“ také šetrnější ke spotřebě baterie, nežli předchozí generace čipů.
V tiskové zprávě Samsung uvádí, že se jedná o vůbec první 10-nanometrový 8GB LPDDR5 DRAM, který je 1,5× rychlejší nežli mobilní LPDDR4X DRAM, které jsou použity v současné vlajkové lodi jihokorejské společnosti. Čipy dokážou poslat 51,2 GB dat za sekundu.
Čipy mohou snížit napětí až na 1,5V, při kterém budou disponovat propustností 5500 MB/s. Nový „deep sleep“ mód navíc sníží spotřebu energie přibližně na polovinu spotřeby současného klidového režimu. Nové čipy budou podporovat chystané sítě 5G a mobilní aplikace využívající AI a strojové učení.
Samsung má podle všeho za sebou úspěšné testování a nyní se chystá na zahájení sériové výroby, která bude probíhat v továrně v Pyeongtaeku v Jižní Koreji.
