Rozvaha: Sandra a nastavení pamětí | Kapitola 3
Seznam kapitol
V současné době, kdy programy zpracovávají obrovská kvanta dat (to platí zejména pro multimedia a video), jsou nároky kladené na paměťový subsystém větší než kdykoli předtím. Server Techwarelabs provedl megatest různých nastavení parametrů paměti a jejich vliv na výkon.
- Nárůst výkonu paměťového systému byl obrovský, téměř na 172%
Porovnání rychlostí pamětí
Rychlost pamětí je nejčastěji měřená na základě rychlosti interních hodin, jinak řečeno počet cyklů za sekundu.
| Rychlost pamětí | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % | Teoreticky % |
| přechod ze 100 na 133 | asi 500 MB/s | 35-40% | 33% |
| 133 na 166MHz | asi 200-300MB/s | 10-15% | 25% |
| 100 na 166MHz | asi 750-800MB/s | 55-60% | 66% |
Výkonnostní rozdíl získaný zvýšením frekvence je všeobecně známý.
CAS
Obecně řečeno je CAS je počet cyklů mezi přijetím příkazu pro čtení a začátkem čtení dat. To znamená čím menší číslo, tím rychlejší odezva paměťového subsystému.
| CAS Latency | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| přechod ze 3.0 na 2.5 | asi 0-2MB/s | 0%-0.01% |
| 2.5 na 2.0 | asi 0-3MB/s | 0%-0.02% |
| 2.0 na 1.5 | asi 0-3MB/s | 0%-0.02% |
Výsledek je velmi zarážející, přes všechny mé předpoklady nedošlo k viditelnému nárůstu výkonu. Nárůst by se dal chápat pouze jako odchylka v měření.
Podle webové stránka firmy Corsair, lze získat pouze malý procentuální nárůst výkonu při přechodu z CAS3 na CAS2. Což se v našem testu potvrdilo. Při použití jiného typu pamětí, by rozdíl měl být trochu vyšší.
Ale pokud se rozhodnete pro nákup nových pamětí, určitě se vyplatí takové, jenž mají nižší CAS. Obecně jdou lépe přetaktovat na vyšší frekvenci.
Poznámka redakce: Vliv CAS na výkon paměťového subsystému je v praxi poněkud vyšší - hodně záleží na organizaci testovacích dat. To že se v tomto testu CAS více neprojevilo je dáno metodikou tohoto konkrétního testu.
Bank Interleave
Bank Interleave umožňuje zmenšení celkové zpoždění paměťového subsystému. Podstatou je vyslání příkazu na čtení/přístup do paměťové buňky v době, kdy se čeká na výsledek předchozího příkazu. Můžeme o tom také mluvit jako o přístupu do čtyř bank v jednom cyklu (4-Way interleave), tím se obejde zpoždění, které by vzniklo kvůli CAS při přístupu jednotlivě.
Všechny paměti větší než 64MB automaticky obsahuji 4-cestní Interleave (4-Way interleave).
| Bank Interleave | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| Disabled na 2-Way | 40-50MB/s | 1%-4% |
| 2-Way na 4-Way | 40-50MB/s | 1%-4% |
| Disabled na 4-Way | 80-100MB/s | 2%-8% |
Nárůst se vždy pohyboval okolo 50MB/s. Toto nastavení a výsledek je absolutně nezávislý od jiného. Při vyšší rychlosti je nárůst menší (1% při 166MHz FSB a 4% při 100MHz FSB), to znamená, že nárůst není větší s větší rychlostí.
Precharge to Active (tRP)
Precharge to Active nastavení ovládá počet bitů, které jsou vloženy mezi příkazy precharge řádku a příkazem activate. Tzn. větší počet cyklů, větší zpoždění odezvy.
Pokud je čas pro tRP (někdy také označováno jako (Row precharge time) příliš malý, může se stát, že nejde ke kompletní obměně dat v buňce a následně je buňka neschopna přijmout data.
| tRP | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| 3T to 2T | 10-20MB/s | 1% |
Rozdíl získaný při optimalizaci hodnoty tRP se zvyšuje v závislosti na rychlosti ((10MB/s při rychlosti 100MHz FSB, 20MB/s při 166MHz FSB). To dává nárůst okolo 1%.
Active to Precharge (tRAS)
Toto nastavení je důležité, protože určuje jak brzo po aktivaci řádku může být znovu připraven pro další cyklus. pokud zvolíte příliš krátký čas, může se stát, že nedojde ke kompletnímu cyklu čtení/zápis a data budou poškozena.
| tRAS | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| 7T to 6T | asi 0-3MB/s | 0%-0.01% |
Výsledek se dá započítat do chyby v měření.
RAS to CAS delay (Trcd)
Mezi signálem Row Address Strobe (řádek) a signálem Column Address Strobe (sloupce) by měl proběhnout nějaký ten čas. Jinak nižší hodnota, tím rychlejší má přístup k paměti a tím však bude i větší nebezpečí chyb i zde bacha na stabilitu.
| tRCD | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| 3T to 2T | 20-30MB/s | 1.0%-1.5% |
Toto nastavení umožňuje získání 20-30MB výkonu navíc.
DRAM Command Rate
Čím nižší je hodnota, rychleji může paměťový řadič odesílat příkazy.
| DRC | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| 2T to 1T | asi 30MB/s | 1.1%-2.1% |
Při rychlejším DRAM Command Rate je stálý nárůst 30MB za sekundu.
DRAM Burst Length
Bursting je technika při které DRAM předpokládá adresu další paměťové buňky po té, co dojde k přístupu do první.
Přístup probíhá po blocích (Burst), protože je rychlejší než jednotlivé přístupy, přitom se nejdříve předává adresa řádku a pak se spolu s adresou sloupce čtou zároveň sousední sloupce v řádku. Z toho vyplývá, že blok je ve tvaru x-y-y-y. První přístup (Leadoff Timing) lze nastavit jako vlastní funkci.
| DBL | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| 4 to 8 | 0 MB/s | 0% |
V našich měření se neprokázal žádný výkonnostní nárůst, ať bylo nastavení jakékoliv.
Write Recovery Time (tWR)
tWR udává minimální počet cyklů než může dojít k příkazu precharge, který následuje po úspěšně dokončeném zápisu do buňky.Jinými slovy jde o počet cyklů mezi zápisem a precharge stavem. Podle Adrian''''s Rojak Pot toto nastavení nejen zvyšuje výkon pamětí, ale i zlepšuje možnosti přetaktování.
| tWR | Výkonnostní rozdíl | Rozdíl v % |
| 3T to 2T | 0% | 0% |
Test však nepotvrdil ani jedno z tvrzení, které je na stránkách Adrian''''s Rojak Pot. Nedošlo ani k zvýšení výkonu ani k ovlivnění přetaktování.
Závěr
Z testů jasně vyplývá, že nejvýznamnějším faktorem, který určuje výkon pamětí je frekvence. Ale není vhodné zcela odsoudit nastavení časování na úkor frekvence. Z možností nastavení časování asi nejvíce ovlivňuje výsledek Bank Interleave (dop. 4-Way) a DRAM command rate (dop. 1T) a tRCD (dop. 1T). Pokud si dáme s nastavením záležet, rozdíl je jasný, až 72% navíc.
Jen si prosím uvědomte, že výsledky se mohou lišit počítač od počítače. Při použití jiné desky by výsledky mohly být zcela jiné.
Použité informace: Techwarelabs, Sysopt a Adrian Rojak Pot
