PRAM již letos?

Americká společnost Intel započala práce na využitelném čipu PRAM (Phase-change Random Access Memory) již v roce 2000, kdy licencovala tuto technologii společnosti Ovonyx, Inc. Nyní představila 128Mb čip, který se začne vyrábět již letos, tedy o rok dříve než čipy Samsungu. Samsung již před časem zveřejnil prototyp s 256 a poté s 512Mb kapacity, jehož výroba bude zahájena až v roce 2008. PRAM čipy vyvíjí také IBM či Hitachi.

Paměti PRAM mají nahradit dnes používané NOR-flash paměti (v mobilních telefonech), oproti kterým mají být dvakrát až pětkrát rychlejší (nepotřebují buňku před novým zapsáním smazat, ale mohou zapsat informaci přímo). Také mají zvládnout až 10000krát více cyklů zápis-čtení. V některých případech mohou naopak nahradit paměti DRAM, oproti kterým mají výhodu menší energetické náročnosti-buňky se nemusí přepisovat (tzv. refreshovat) a dokáží informaci uchovat až deset let; čipy jsou též non-volatilní, čili nemusí být trvale pod napětím.

i Zdroj: PCTuning.cz

512Mb čip od Samsungu

Počítá se i s nasazením těchto pamětí v zařízeních SSD (Solid State Disc) a v hybridních discích (nahrazením pamětí NAND), stejně jako ve vysokokapacitních přenosných flash discích. Ve všech těchto zařízeních by se tak dosáhlo úspor energie při zvýšení rychlosti. Výroba PRAM bude dle Samsungu oproti NOR výrazně levnější, zejména díky menším paměťovým buňkám.

Zdroj: ars technica