Samsung začal s výrobou DRAM na 60nm
Samsung, známý průkopník v oblasti paměťových čipů, zahájil masovou výrobu DRAM čipů pomocí 60nm výrobního postupu.
Podle tvrzení výrobce má 60nm postup o 40% vyšší výtěžnost, než 80nm technologie, kterou Samsung začal používat loni, a dvakrát vyšší výtěžnost oproti staršímu 90nm procesu. Samsung na 60nm procesu vyrábí 1Gbit čipy, které bude používat v modulech s kapacitami 512MB, 1GB a 2GB a frekvencemi 667 nebo 800MHz.
Klíčovou technologií, kterou Samsung u 60nm procesu používá, je tzv. RCAT (reces channel array transistor), díky které lze paměťovou buňku stavět trojrozměrně. Ostatně, o 3D tranzistorech jste možná již slyšeli - tento způsob snížení rozměrů paměťové buňky používá Samsung už od dob 90nm výroby. Další, poněkud novější technologie, se nazývá SEG (selective epitaxial growth). Spočívá v rozšíření elektronového kanálu, takže elektrony mohou protékat rychleji; toto řešení má zároveň příznivý dopad na spotřebu.
Paměťové čipy vyráběné 60nm technologií se začnou rozšiřovat v příštím roce a největších zisků dosáhnou v roce 2009. Tou dobou již Samsung patrně již bude vyrábět novou 50nm technologií, kterou vyvinul již loni na podzim.
Zdroj: Samsung
