Innovative Silicon představil druhou generaci Z-RAM
První generace technologie Z-RAM nestihla najít komerční využití. Její tvůrci, společnost Innovative Silicon Inc. (ISi) však již představili její druhou generaci.
Možná si ještě vzpomínáte na zprávu z ledna, kde jsme psali, že AMD si od ISi licencovalo technologii Z-RAM. Ta měla umožnit budoucím procesorům AMD obsahovat více cache (Z-RAM má při stejné kapacitě rozměry asi 5x menší, než klasické SRAM), jenže nabídku AMD tvoří stále procesory K8 a ISi již vypustilo do éteru inovovanou verzi Z-RAM. Kterou si výrobce procesorů opět licencoval.
Z-RAM jsou vázány na SOI (silicon on insulator) výrobu, kterou používá AMD nebo například IBM. Při dodání přesně určeného napětí se v čipu vytvoří něco na způsob kondenzátoru a podle náboje, který tento kondenzátor drží, se pozná 0 nebo 1. Ve druhé generaci byla velikost náboje zvýšena, což dopomohlo k rychlejšímu čtení i zápisu a nižší spotřebě - tisková zpráva uvádí, že čtení je o 75% úspornější, než u první generace, a zápis potřebuje dokonce o 90% méně energie.
ISi momentálně testuje výrobu na 65nm a 45nm procesech. Jen pro úplnost, při 65nm postupu je kapacita Z-RAM 5Mbit/mm2 a při 45nm výrobě dokonce 10Mbit/mm2.
Kdy se na trhu objeví produkty používající tuto technologii, je bohužel ve hvězdách.
Zdroj: Innovative Silicon Inc.
