Samsung vylepšil "skládání" NAND Flash čipů
Jednou výhodou Flash pamětí jsou také jejich malé rozměry. Nicméně, když je potřeba vtěsnat na malý prostor více kapacity, řešením je jednoduše naskládat čipy do vrstev nad sebou. Pak je ale potřeba čipy propojit - což při použití kovových vodičů nejen negativně ovlivní výkon, ale také zvýší celkovou plochu. A právě tento problém Samsung vyřešil.
Oproti běžným multi-chip package (MCP) je nová technologie wafer-level stacking package (WSP) tenčí o 30% a zabírá o 15% méně plochy. Toho Samsung docílil vytvořením mikroskopických děr v čipech, které slouží jako přímá propojení. Díky tomu je celý paměťový čip také rychlejší, neboť nedochází ke zpomalení při přenosu dat přes drátová spojení.
Tuto technologii popsal již na IDF na jaře 2005 Justin Rattner jako "3D Stacking". Doteď jsem ale zatajil, že technologie WSP se dá použít také pro DRAM čipy. Hromadnou výrobu WSP NAND Flash pamětí však začne až v roce 2007 a bude ještě nějakou dobu trvat, než se "3D stacking" začne používat i pro DRAM. Krom toho, než WSP DRAM dojdou do našich desktopových strojů, svou premiéru si odbyjí v serverech, kde je větší kapacita potřebnější.
Zdroj: TGDaily
