Samsung rozjel výrobu 256Gb 64vrstvých 3D V-NAND paměťových čipů
autor: Ondřej Štěpánek , publikováno 15.6.2017

Technologický gigant Samsung Electronics dnes oznámil, že zahájil výrobu vlastních 64vrstvých 3D V-NAND paměťových čipů s kapacitou 256 Gb.

Tyto čipy by měly najít své uplatnění zejména v SSD, ale také pro paměťové karty s vysokou kapacitou a mobilní zařízení. 64vrstvé 246Gb čipy V-NAND 4. generace nabídnou přenosovou rychlost až 1 Gb/s, díky čemuž jsou zhruba 1,5× rychlejší než stávající 48vrstvé V-NAND paměti od Samsungu. Výrobce plánuje novými čipy do konce roku pokrýt 50 procent celkové výroby. 

Samsung rozjel výrobu 256Gb 64vrstvých 3D V-NAND paměťových čipů

Nové 3D V-NAND paměti by měly také mít o více než 30 % větší energetickou účinnost, díky vstupnímu napětí pouhých 2,5 V. Výrobce se chlubí také o zhruba 20 % vyšší spolehlivostí, díky minimalizaci ztrát elektronů v paměťových buňkách. 

Samsung rozjel výrobu 256Gb 64vrstvých 3D V-NAND paměťových čipů

Do budoucna chce Samsung nejen zvyšovat kapacitu čipů až na 1 Tb, ale hodlá dosáhnout až 90 vrstev buněčných polí. První produkty s novými typy paměťových čipů snad můžeme očekávat už brzy.

Zdroj: techPowerUp



Tagy: Samsung  3D V-NAND  flash  čip  64vrstvý  256 Gb  
 
Komentáře k článku
RSS
Pouze registrovaní uživatelé mohou přidat komentář!
15.6.2017 16:31:29   188.167.250.xxx 70
Dúfam ze konečne začnú klesať ceny NAND aj samotných SSD .

Redakce si vyhrazuje právo odstranit neslušné a nevhodné příspěvky. Případné vyhrady na diskuze(zavináč)pctuning.cz

9 čtenářů navrhlo autorovi prémii: 4.5Kč Prémie tohoto článku jsou již uzavřené, děkujeme za váš zájem.
Tento web používá k poskytování služeb soubory cookie.