SK hynix začalo vyrábět 20nm DRAM a chystá zavést výrobu 36vrstvých 3D NAND flash čipů
Jihokorejský výrobce paměťových čipů SK hynix odhalil svoje plány ohledně výroby pamětí NAND flash a DRAM.
SK hynix v současnosti započal sériovou výrobu svých DRAM pomocí 20nm výrobního procesu, načež chystá zahájit zkušební výrobu nových 3D NAND flash čipů se 36 vrstvami paměťových buněk. Zavedení této výroby by výrobce rád stihl ještě letos a v příštím roce se chystá dokonce na čipy se 48 vrstvami. SK hynix se tak snaží dohnat svého hlavního konkurenta v podobě firmy Samsung.
Samsung totiž vyrábí 3D V-NAND flash paměťové čipy s MLC buňkami řazenými do 48 vrstev už více než dva měsíce. Samsung pomalu ale jistě dohání také další konkurenční značky jako Toshiba a SanDisk, které měly podle dřívejších informací odstartovat výrobu svých 48vrstvých 3D NAND flash čipů už před měsícem. Z pohledu zákazníkům bychom měli SK hynix fandit, protože čím bude v segmentu výroby NAND flash čipů větší konkurence, tím by se mohla snižovat cena paměťových čipů a potažmo i zařízení a komponent. Výrazně by se to mohlo podepsat například v oblasti SSD.
Prezident firmy SK hynix Park Sung-wook prozradil, že při zavádění 20nm technologie DRAM se vyskytly nečekané problémy, které by však měly být nyní již vyřešeny. Sung-wook také predikuje, že vývoj trhu s DRAM pro PC nebude v brzké budoucnosti nikterak pozitivní, přičemž v oblasti pamětí DRAM pro mobilní zařízení bude vývoj o něco lepší. Celkově by však měly podle jeho odhadu jít ceny DRAM průběžně dolů.
Zdroj: Hexus.net
