Samsung zahájil masovou výrobu 256Gb paměťových čipů typu 3D V-NAND flash
Hlavní bolestí dnešních SSD je jejich relativně nízká kapacita, která je zapříčiněna velikostí a malou kapacitou paměťových čipů, na nichž jsou disky založeny. Právě proto společnost Samsung vyvinula a nyní začíná sériově vyrábět 256Gb paměťové čipy založené na technologie trojrozměrné vertikální NAND (V-NAND) flash paměti.
Jedná se už o třetí generaci V-NAND flash paměťových čipů od Samsungu, které mají nově 3bitové multi-level buňky (MLC) řazené do 48 vrstev. Jde o tzv. strukturu 3D Charge Trap Flash (CTF), v níž jsou buňky uspořádány vertikálně a propojeny prostřednictvím 1,8 miliardy kanálů vytvořených speciální technologií leptání.
Každý čip, který má přibližně velikost špičky prstu, v sobě nese 85,3 miliardy buněk, přičemž do každé z nich lze uložit data o velikosti 3 bity. Kromě kapacity by se nové čipy oproti svým 32bitovým předchůdcům měly pochlubit až o 30 % lepším poměrem ceny a výkonu. Díky tomu bychom se snad mohli v budoucnu běžně setkat s SSD s kapacitou vyšší než 1 TB.
Primárně budou tyto čipy využity u SSD pro podniky, datová centra a také v úložných zařízeních pro náročné s rozhraními PCIe MVMe či SAS. Setkat se s nimi však budeme moci také u běžných, spotřebitelských disků.
