SK Hynix: podařilo se nám vyrobit 6 Gb LPDDR3 paměti
Společnost SK Hynix oznamuje, že se jí podařilo vyrobit první vzorky 6 Gb LPDDR3 (Low Power DDR3) pamětí využitím 20nm výrobní technologie.
LPDDR3 paměti jsou díky svým vlastnostem – nízké spotřebě a vysoké hustotě (kapacita vs rozměry), ideální pro použití v prémiových mobilních zařízeních. Konkrétní vzorky od SK Hynixu mají provozní napětí pouhé 1,2 V. Propustnost v jednokanálovém zapojení činí 7,4 GB/s, respektive 14,8 v dual-channelu. Výrobce počítá i s možností vrstvení více čipů na sebe (PoP – Package on Package). Například highendový smartphone by mohl obsahovat hned čtveřici 6Gb LPDDR3 čipů, a mít tak kapacitu operační paměti rovné 3 GB. Nové 6 Gb LPDDR3 čipy se začnou objevovat v mobilních zařízení již v první půli příštího roku a SK Hynix počítá s masovou produkcí až do roku 2015.
Zdroj: TechPowerUp!
