Spekulace: NVIDIA má prý první vzorky 28nm čipů…
… tedy alespoň podle bulvární Fudzilly. Fuad Abazovic se dostal k informaci, že inženýři v TSMC vyrobili několik waferů 28nm High-K Metal Gate procesem.
NVIDIA dostala ÚDAJNĚ od TSMC první vzorky nižší střední třídy (jako dnešní GeForce GTS 450) s kódovým označením GF1x9 (že by GF119?). Nicméně, jedná se o první předběžnou informaci, kterou lze jen opravdu těžko ověřit. Pokud je to skutečně pravda, prvních karet bychom se mohli dočkat nejdříve v druhém pololetí roku 2011. Konkurenční GlobalFoundries vyrobí první vzorky teprve na přelomu tohoto roku za předpokladu, že AMD dodá podklady.
A co že se pod označením High-k Metal Gate vlastně skrývá? Jde o materiál s vysokou dielektrickou konstantou κ (kapa), která v posledních letech nahrazuje v minulosti hojně využívaný SiO2 (oxid křemičitý). Prvním, kdo tento materiál začal používat, byl Intel u svých procesorů založených na 45nm výrobním procesu (kódové označení P1266). High-K dielektrikum se skládá z oxidů a silikátů hafnia (Hf) nebo zirkonu (Zr) – například křemičitan zirkoničitý (ZrO2 – SiO2). Díky tomu se značně snižují svodové proudy (leakge current) na přechodu a díky tomu pak značně klesá spotřeba tranzistorů potažmo celého čipu. Díky lepším parametrů jsou tranzistory obsahující High-K materiály mnohem rychlejší. Celý článek (v EN) na toto téma najdete zde. Tak snad Fuad neplácá jako v 50 % případů nesmysly a NVIDIA se opravdu snaží vyrobit výrazně úspornější jádra.
Zdroj: Fudzilla
