Prototyp FeRAM paměťového čipu
Toshiba představila nový způsob výroby paměťových čipů. FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) typ paměťí je zatím nejrychlejší paměťový čip s největší hustotou dat.
Prototyp FeRAM čipu byl vyroben za použití 130nm procesu. Velikost jednoho čipu je prozatím pouhých 16MB, ale to se může velmi rychle změnit použitím menšího výrobního procesu.
Důležité jsou ale také výborné přenosové rychlostí, které u čtení i zápisu dosahují až fantastických 1,6GB/s. Vyvinutý prototyp se na venek chová jako DDR2 paměťový modul, takže by neměly nastat žádné problémy s kompatibilitou.
FeRAM prozatím nabízí mnohem vyšší rychlosti než dnešní DRAM čipy. Data na médiu navíc zůstávají přístupná i po odpojení od zdroje proudu. FeRAM se tak může ze začátku prosadit u mobilních zařízení. Masová výroba nicméně prozatím není naplánovaná.
Zdroj: Fudzilla
