IBM vyvořilo první 22nm součástku
Společnosti IBM a jejím vývojovím partnerům se podařilo vytvořit první součástku 22nm procesem a tím se "v závodu o zmenšování" dostali před Intel, který doteď vedl.
První polovodičové součástky jsou již typicky paměťové buňky SRAM, jejich architektura se většinou používá při testování nového výrobního postupu a až po nich se tento aplikuje na mikroprocesory. V roadmapách Intelu jsou 22nm procesory vzdáleny ještě tři roky (22nm die-shrink procesorů Sandy Bridge, známý jako Ivy Bridge, se na trh dostane zřejmě až na konci roku 2011) a Intel zřejmě bude muset "zapracovat," aby tyto procesory uvedl jako první na trh - technologickým partnerem IBM je totiž dvojka na trhu, společnost AMD.
Paměťové buňky vyvinuté společnostmi AMD, Freescale, IBM STMicroelectronics, Toshiba a univerzitou CNSE byly vytvořeny tradičně ze šesti tranzistorů na 300mm waferu. Velikost jedné paměťové buňky je 0.1 μm2, což je méňe než třetina v porovnání s 0.346 μm2 paměťovou buňkou Intelu vytvořenou 45nm procesem.
Intel představil 32nm wafer s SRAM buňkami v září 2007, ale podle předpokladů 22nm wafer z továren tohoto výrobce nemůžeme čekat ještě minimálně rok. IBM se nechalo slyšet, že použije "nejlepší 32nm high-K/Metal Gate proces, kterému se žádná konkurenční technologie nebude rovnat," proč v to pracovníci IBM věří je zatím záhadou.
Intel stihl ještě dnes na toto oznámení reagovat, mluvčí Intelu, Nick Knupffer, dnesřekl toto: "Ano, toto je nejmenší SRAM buňka, která byla dosud předvedena, ale vytvoření jediné buňky je pouze "zkouška." Oznámení říká, že mají 22nm buňku, nikoliv sadu tranzistorů o takové hustotě. Jedna SRAM buňka obsahuje šest tranzistorů. 32nm sada SRAM modulů, kterou jsme ukázali v září 2007 měla 290 milionů buňek/bitů, tedy 1,9miliardy tranzistorů. IBM ještě neoznámilo tak velkou "várku" 32nm SRAM buňek, jakou předvedl Intel. Navíc, naše výroba při komerčním využití bude používat již druhou generaci 32nm high-k/metal gate procesu."
Podle TG Daily
