3D NAND flash QLC čipy od Toshiba by měly zvládnout obdobný počet P/E cyklů jako TLC
Značka Toshiba se v poslední době potýká s řadou problémů. Přesto je japonská značka stále jedním z nejvýznamnějších jmen na poli NAND flash čipů. Ukazuje to i na novém typu NAND flash čipů s čtyřnásobným počtem stavů v buňce oproti MLC.
Nové paměťové čipy 3D NAND flash s kapacitou 768 Gb mají využívat buňky typu QLC, které by měly nabídnout celkem 16 stavů na jednu buňku, což je čtyřikrát tolik, než u spolehlivějších čipů MLC a dvakrát tolik, než u v současnosti nejpopulárnějších TLC. Tato informace samozřejmě napovídá nižší kvalitě, nebo spíše menší životnosti buněk.
Životnost buněk může být snížena právě z důvodu ukládání množství variací stavů a to vyžaduje lepší technologie korekce chyb. Podle Toshiby, ale čipy s QLC buňkami nemají nijak zásadně pokulhávat za současnými TLC NAND flash. QLC totiž má dosahovat zhruba na 1000 cyklů program-erase, tedy změny z naprogramovaného stavu do vymazaného stavu a zpět. Obdobné hodnoty přitom dosahují i čipy s TLC.
První vzorky čipů s QLC začala Toshiba vyrábět začátkem tohoto měsíce a vše ukazuje na to, že ještě levnější čipy bude moci masově vyrábět koncem příštího roku, nebo na začátku roku 2019. Na implementaci nových paměťových čipů si tedy ještě notnou chvíli počkáme, což znamená, že záchranu od zvyšování cen NAND flash pamětí v dohlednu očekávat nemůžeme. Tedy alespoň ne ze strany značky Toshiba.