Samsung rozjel výrobu 256Gb 64vrstvých 3D V-NAND paměťových čipů
Technologický gigant Samsung Electronics dnes oznámil, že zahájil výrobu vlastních 64vrstvých 3D V-NAND paměťových čipů s kapacitou 256 Gb.
Tyto čipy by měly najít své uplatnění zejména v SSD, ale také pro paměťové karty s vysokou kapacitou a mobilní zařízení. 64vrstvé 246Gb čipy V-NAND 4. generace nabídnou přenosovou rychlost až 1 Gb/s, díky čemuž jsou zhruba 1,5× rychlejší než stávající 48vrstvé V-NAND paměti od Samsungu. Výrobce plánuje novými čipy do konce roku pokrýt 50 procent celkové výroby.
Nové 3D V-NAND paměti by měly také mít o více než 30 % větší energetickou účinnost, díky vstupnímu napětí pouhých 2,5 V. Výrobce se chlubí také o zhruba 20 % vyšší spolehlivostí, díky minimalizaci ztrát elektronů v paměťových buňkách.
Do budoucna chce Samsung nejen zvyšovat kapacitu čipů až na 1 Tb, ale hodlá dosáhnout až 90 vrstev buněčných polí. První produkty s novými typy paměťových čipů snad můžeme očekávat už brzy.
Zdroj: techPowerUp