|
autor: Mirek Kočí
, publikováno 14.10.2010
|
Na pokročilejším výrobním procesu a v dvojnásobné kapacitě jen rok po uvedení 3xnm čipů.
Jihokorejský koncern Samsung Electronics hrdě prohlásil, že začal s výrobou NAND flash paměťových čipů, které dokážou v jedné buňce uložit až 3 bity. Čipy jsou postavené na pokročilém 20nm výrobním procesu, přičemž dosahují kapacity až 64 Gb (8 GB). „Zavedení 20nm čipů přišlo jen necelý rok poté, co jsme představili 30nm NAND flash paměti s 3bity na buňku a kapacitou 32 Gb“, řekl Seijin Kim, viceprezident Flash Memory Planning/Enabling v Samsung Electronics. Paměťové čipy své využití naleznou ve vysokokapacitních flash discích a SD paměťových kartách, stejně jako v komunikátorech a solid-state discích (SSD). „V souvislosti se startem sériové výroby 64GB čipů s třemi bity (3bit-per-cell) očekáváme, že dojde k rychlejší adaptaci naší technologie Togle DDR, která umožňuje dosažení vyšších přenosových rychlostí“.
Zdroj: TCM
Redakce si vyhrazuje právo odstranit neslušné a nevhodné příspěvky. Případné vyhrady na diskuze(zavináč)pctuning.cz
28
Příspěvek byl automaticky zabalen pro velké množství negativních hlasů.
